Samsung je započeo masovnu proizvodnju napredne 20-nanometarske DDR3 memorije

Kompanija Samsung je najavila početak masovne proizvodnje 20-nanometarske DDR3 DRAM memorije kapaciteta 4 GB. To je navodno najnapredniji proizvod u svojoj klasi.

Samsung navodi da je uvođenje “tanke” DRAM tehnologije proizvodnje zahteva više truda nego u slučaju sa proizvodnjom NAND flash memorije. Činjenica da svaka DRAM memorija uključuje tranzistore i kondenzatore, dok u slučaju NAND memorije kondenzator nije potreban.

sam2

Novi DRAM čipovi kapaciteta 4Gb koriste potapajuću litografiju. Istodobno Samsung ističe da je kompanija morala poboljšati metodologiju sa dvostrukim uzorcima. Kao rezultat toga, postalo je moguće krenuti sa masovnom proizvodnjom 20-nanometarskih DDR3 mikročipovima na postojeću photolithographic opremu.

Uvođenjem 20-nanometarske tehnologije će se povećati izlaz finalnog proizvoda za gotovo trećinu u poređenju sa procesom 25-nanometarske tehnologije. Dok je potrošnja memorije smanjena za četvrtinu.

Samsung dostignuće otvara put za prelazak na 10-nanometarsum klasu tehnologije. Pretpostavlja se da će nova memorija naći primenu u širokom spektru računarskih uređaja.

Prema proceni izvora Gartner, globalno tržište DRAM-memorija će porasti od 35.6 milijardi dolara prošle godine na 37.9 milijardi dolara ove godine.

Izvor: Samsung Electronics

Please follow and like us:
0.00 avg. rating (0% score) - 0 votes